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| Material utilizado no novo transistor pode substituir o silício na criação de processadores. |
A evolução nos componentes computacionais é óbvia mas, sempre existem limitações que em muitas vezes impedem que a evolução seja ainda melhor e mais rápida.
Em pesquisas ,os cientistas Jiangjiang Gu, da Universidade Purdue, e Xinwei Wang, da Universidade de Harvard, criaram um transistor formado por três nanofios de um material chamado arseneto de gálio e índio (InGaAs), montado como se fosse uma árvore de Natal. Baseando-se em um projeta já existente - os transistores 3D.
Com a nova tecnologia, poderá criar transistores mais eficientes, econômicos, rápidos e ainda mais compactos. Já pensou usar um laptop que não esquenta muito? Poderá ser possível. E mais, durante a descoberta, mostrou-se que ligar os transistores verticalmente em paralelo aumenta o desempenho do eletrônico.
Segundo o coordenador da equipe, Dr. Peide Ye, empilhar os transistores resulta em mais corrente e uma operação mais rápida. Isso tudo adiciona uma nova dimensão e, por isso, os cientistas os chamam de “transistores 4D”.
Ainda é muito cedo pra dizer quando a descoberta estará disponível nos processadores mas, atualmente, já existem transistores 3D, o que prova que em um futuro não muito em breve poderemos ter acesso a tecnologia.
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